有源层厚度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 孟冰 高晓红 付钰 孙玉轩 王森
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGZO 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 信息科技|Information science & technology
• 页码范围: 80-84
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0185.2022.01.015

摘要

室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌,研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.实验结果表明,薄膜厚度为47 nm时,薄膜表面粗糙度最低,薄膜沉积质量最好.当IGZO有源层的厚度为47 nm时,界面陷阱态密度最小,器件的电学性能最佳,迁移率为1.71 cm2/(V·s),阈值电压为24 V,亚阈值摆幅为2 V/dec,开关电流比达到7.83×107.