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摘要:
This work presents a high-gain broadband inverter-based cascode transimpedance amplifier fabricated in a 65-nm CMOS process.Multiple bandwidth enhancement techniques,including input bonding wire,input series on-chip inductive peak-ing and negative capacitance compensation,are adopted to overcome the large off-chip photodiode capacitive loading and the miller capacitance of the input device,achieving an overall bandwidth enhancement ratio of 8.5.The electrical measure-ment shows TIA achieves 58 dBΩ up to 12.7 GHz with a 180-fF off-chip photodetector.The optical measurement demonstrates a clear open eye of 20 Gb/s.The TIA dissipates 4 mW from a 1.2-V supply voltage.
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文献信息
篇名 A 58-dBΩ20-Gb/s inverter-based cascode transimpedance amplifier for optical communications
来源期刊 半导体学报(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2022,(1) 所属期刊栏目 ARTICLES
研究方向 页码范围 73-78
页数 6页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-4926/43/1/012401
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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总被引数(次)
35317
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