基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计

• 作者: 王晓龙
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 功率管 GaN 内匹配 L波段 大功率
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 电子工程|Electronic Engineering
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.01.014

摘要

采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管.在+36 V、-2 V工作电压下,1.14～1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55％,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景.