镀Zr高硼硅玻璃衬底上低温生长GaN薄膜研究

• 作者: 王兴达 唐伟闻 秦福文 刘爱民
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 GaN 镀Zr高硼硅玻璃衬底 低温沉积
• 年，卷（期）: 2022,（3）
• 所属期刊栏目: 综述与论著
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,分别以高纯氮气(N2)和三甲基镓(TMGa)作为氮源和镓源,改变TMGa流量,在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜,并利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱对不同TMGa流量下沉积的GaN薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测.结果表明,当TMGa流量为1.6sccm时,低温沉积得到的GaN薄膜呈现高度的a轴择优取向,结晶性较好,内部应力得到了一定程度的释放,表面形貌呈现岛状生长,且岛的大小比较均匀.GaN薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移.