原文服务方: 原子能科学技术       
摘要:
推荐文章
AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性
氮化镓
高电子迁移率器件
高温性能
AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真
铝镓氮/氮化镓
高电子迁移率晶体管
自加热效应
热分析
器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
器件尺寸
辐照效应
空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响
总剂量效应
单粒子效应
位移损伤
SRAM型FPGA
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 位移损伤效应对ALGaN/GaNHEMT器件的影响
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词
年,卷(期) 2024,(12) 所属期刊栏目 器件辐射效应研究及加固技术新进展
研究方向 页码范围 40-46
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2024(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
总被引数(次)
27955
论文1v1指导