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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 通过Ｘ射线动力学理论计算的晶体摆动曲线与测试实验曲线的比较给出外延薄膜材料的结构，为器件研制了工作提供了有用的数据，证明运用Ｘ射线动力学理论计算计算机拟合能为薄膜材料成分和厚度提供无损检测手...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其内烁噪声进行测量，将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能谱进行比较发现，器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低，相长...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 本文研究钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）膨胀系数随温度变化的行为。结果表明在钛酸钡的三个相变温度点（１２０℃，８℃，－８０℃）处，热膨胀系数反常变化，我们认为相变温度为－８０℃处的热膨胀反常是因钛酸钡...
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5. Si基光电子学研究进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 作为“第二代硅”Ｓｉ基异质结材料为世人所瞩目，Ｓｉ基光电子器件及光电集成（ＯＥＩＣ）是当前世界范围的热门课题，本文综述Ｓｉ基异质材料的外延生长和特性，Ｓｉ基光电子器件的结构和性能及其应用，着...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 介绍了数字信号处理器ＤＳＰ的原理，结构，应用和发展趋势。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 就压阻型压力传感器的灵敏度温度漂问题进行述评，分析了灵敏度温漂产生的原因并提出解决灵敏度温漂的多种补偿方法。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 本文阐述了Ｚ２０００接收机内的闭环自动频率控制的工作原理，并说明如何这个系统。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年1期页码:摘要： 描述了高频磁探针的设计，制造以及标定方法和技术。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 通过几组对比实验，揭示了聚酰亚胺、四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的影响：聚酰亚胺在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入正电荷，四甲基氢氧化胺则在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面上引入负电荷。
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11. 硅钨酸修饰ISFET的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，制成药物敏感场效应晶体管（ＯｒｕｇＦＥＴ）。该传感器对一些药物有良好的响应，用其分析药物制剂的含量，结果和药典方法相一致。
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12. 关于CuInSe2膜的喇曼散射刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 通过对ＣＩＳ膜喇曼谱的研究，找到膜的生长条件，组份比和膜的结构之间的关系。我们在实验中，用不同组份的ＣｕＩｎＳｅ２膜进行喇曼谱的测量，发现了与Ｙａｍａｎａｋａ所得到的不尽一致的结果。
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13. GeSi合金的等离子色散效应刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对ＧｅＳｉ合金的等离子色散效应进行了理论分析与计算。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对Ａ３Ｃ６０（或Ａ２ＢＣ６０）（Ａ，Ｂ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）化合物的晶格常数和超导转变温度分析比较，表明：在四面体空隙中心的碱金属是决定晶格常数的主要因素；在四面体空隙中心的碱金属与...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对微电子技术５０年发展的风雨历程作了简要回顾，着重叙述了ＩＣ近年来设计和工艺技术上的进步，展望了ＩＣ技术的未来发展。
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16. 压力传感器的芯片封装技术刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 对压力传感器芯片的各种封装技术作了比较和讨论，指出它们的优缺点和适用场合。还对各种封接键合材料的特性作了概括。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 反应离化团束沉积技术是在离化团束沉积技术基础上加入了反应材料。本文讨论了簇团的产生、离化、加速，成膜的机制，及其在薄膜制备中的应用。
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18. 芯片Z2000中的扩频与解扩刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 本文详细阐述了Ｚ２０００芯片在发射端进行ＰＮ序列码扩频和在接收端利用ＰＮ匹配滤波器等实现ＰＮ序列码解扩的过程及相关处理。
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19. 倒装——锡球栅列封装介绍刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年2期页码:摘要： 倒装———锡球栅列封装介绍倒装（ＦｌｉｐＣｈｉｐ）技术为ＩＢＭ公司于１９６４年所提出的一种新型封装技术。原始的设计为将巳长上Ｃ４凸块的晶片翻转连接于陶瓷基板，称为Ｃ４工艺（Ｃｏｎｔｒｏｌｅｄ...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 分析了波长调制反射谱，实际是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比，将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品，用椭偏光谱法测量得以...
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21. 薄膜迭层四端电池试验刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 四端电池利用上，下层电池材料的禁带宽度不同，可以分别吸收不同波长的光，以达到提高电池效率的目的，本文对四端迭层电池的工艺及试验结果作了初步的探讨。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法）阐述了该方法的生长机理和生长过程，分析了生长过程了影响晶体生长的因素，总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题，据此讨论人析了Φ４英寸（１１１）硅单晶中易出现的放肩“断棱”，等径过程中“掉苞”问题。
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25. CFZ单晶的生产及特点刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 本文介绍了一种全新的硅单晶生长方法，通过大量实验对ＣＦＺ法生产技术和特点作了描述，并对ＣＦＺ的应用作了讨论。
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26. H2S气体传感器的进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 综述了Ｈ２Ｓ半导体气体传感器的制备及敏感机理，添加剂ＣｕＯ化合物可以明显提高对Ｈ２Ｓ气体的灵敏度与选择性，最后，介绍了一种似乎合理的敏感机制。
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27. 透明导电膜中光吸收边的移动刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 半导体材料的禁带宽度不但决定了材料的原子组成和成键状态，而且还受到固体内部缺陷和外部掺杂的影响。这些杂质和缺限作为施主（或受主）产生自由载流子从两方面改变材料的带隙。一是高浓度载流子使费米能...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 本文探讨了硅掺入稀土元素Ｅｒ后能发出波长为１５４０ｎｍ的光的机理，对影响其发光特性的温度猝灭现象作了初步分析，最后指出了将其实用化还必须解决的一些问题。
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29. IGBT的发展现状及应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年3期页码:摘要： 本文论述了：（１）检测门限的高低与信号正确检测和误差的关系；（２）ＡＦＣ环路带宽如何选择；（３）输入信号的频漂对ＡＦＣ的影响。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
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