学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
热门 论文降重
免费 免费查重
学术期刊
任务中心
登录
文献导航

半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
文章浏览
年度刊次
目录
  • 31. X射线线阵CCD
    作者： 张坤 李平 汪朝敏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  103-105
    摘要： 通过在CCD表面涂敷荧光物质Gd2O2S,采用荧光转换原理,成功实现了对X射线的探测.介绍了1024位线阵X射线CCD的结构及工作原理,给出了实验结果.器件的动态范围大于3000∶1.
  • 32. 激光辐照面阵CCD探测器系统局部的干扰效应
    作者： 付有余 王世勇 郭劲
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  106-108,135
    摘要： 采用脉冲与连续激光实现了对面阵CCD探测器系统的干扰,研究了脉冲与连续激光辐照CCD探测器系统时,CCD探测器系统工作状态的变化,测量了CCD探测器系统的饱和阈值范围,并分析了造成饱和的原因...
  • 33. MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择
    作者： 叶志镇 赵炳辉 顾星
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  109-113
    摘要： MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响,并对...
  • 34. ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点
    作者： 徐久军 徐茵 杨大智 王三胜 秦福文 顾彪
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  114-117
    摘要： 报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微镜(AFM)测量表明成核密度高达1010c...
  • 35. GaN的极性特征、测量及应用
    作者： 刘宝林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  118-121,124
    摘要： GaN在(0001)方向是一种极性极强的半导体材料,它具有极强的表面特征,是目前发现的最好的压电材料,而GaN的极性呈现出体材料的特征,它的测量要用一些特殊的方法,它的不同特征也给我们提供了...
  • 36. 氧等离子体处理条件对poly-SiO2/Si结构平带电压的影响
    作者： 向少华 廖伟 张明高 谢茂浓
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  122-124
    摘要： 氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而...
  • 37. TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备
    作者： 杨开愚 钱祥忠 陈旋
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  125-127
    摘要： 用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2...
  • 38. 两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较
    作者： 刘翔 吴长树 廖仕坤 张鹏翔 杨家明 角忠华 赵德锐 陈庭金
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  128-131
    摘要： 报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)...
  • 39. 采用多项式拟合进行谱峰定位的误差分析
    作者： 吴英 杨桂荣 温志渝 蒋子平 陈刚 黄尚廉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  132-135
    摘要： 采用光电探测阵列获取光谱信号时,由于光电探测阵列的离散性导致了无法准确地确定光谱峰值位置.对采用多项式拟合高斯光谱峰值定位误差进行了理论分析,提出了对光谱采样信号利用最小二乘法五次多项式拟合...
  • 40. 一种基于场景的红外图像非均匀性校正算法
    作者： 张晓飞 袁祥辉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  136-138
    摘要： 在分析红外焦平面非均匀产生原因的基础上,阐述了两点校正法的原理.由于各探测器与相邻单元的增益比率具有相关性的特点,利用相邻单元的增益比率,迭代实现比率和偏差的校正,从而减小其图像的非均匀性....
  • 41. 一种新型光电式电流互感器的设计
    作者： 李芙英 纪昆
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  139-141
    摘要： 提出了一种新型有源型光电式电流互感器(OECT)的设计方案,采用了光电以及微机技术,集电流、电压、有功功率和无功功率等电网运行参量的测量于一体,同时还提供继电保护设备接口以及与远程控制计算机...
  • 42. 光子学在半导体工业中的应用
    作者： 邱元武
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年2期
    页码:  142-144
    摘要：
  • 43. 基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展
    作者： 侯小珂 宋俊峰 常玉春 杜国同 王剑钢 王海嵩 王金忠 许呈栋
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  145-149
    摘要： 垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用.文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展,...
  • 44. 量子阱红外探测器光耦合模式的发展状况
    作者： 王青圃 程兴奎 连洁
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  150-153
    摘要： 根据子带跃迁的量子力学选择定则,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应,只有利用光耦合模式,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式,红外探测器的量子效率才能提高.文中介绍了几种主要光耦合模...
  • 45. ZnO薄膜紫外受激发射研究的最新进展
    作者： 叶志镇 吕建国 汪雷
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  154-158
    摘要： ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著优点是在紫外波段存在着受激发射.光泵浦紫外受激发射的获得和自形成谐振腔的发现,使ZnO薄膜成为一种备受青睐的新型光...
  • 46. 二元光学器件激光直写技术的研究进展
    作者： 吕海宝 戴一帆 李圣怡 颜树华
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  159-162
    摘要： 二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺(掩模套刻法或多次沉积薄膜法)所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率.分析了...
  • 47. 半导体激光器的电噪声
    作者： 石家纬 胡贵军
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  163-166
    摘要： 通过测量激光器的电噪声,可以用来在线监测器件的诸多特性,如阈值电流的大小,是否有模式跳变发生,以及谱线宽窄等.另外,根据电噪声的大小,还可以对器件的质量和可靠性作出评价,具有快速、方便、无损...
  • 48. 非线性光耦合器及其响应保持功能
    作者： 周剑 张世林 张培宁 郭维廉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  167-169，181
    摘要： 将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起,其间实现电隔离,构成一种新型光耦合器.由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性,这种非线性光耦合器具有响应保持功能.文章以PDUBAT为例从实验方面证...
  • 49. CMOS读出电路中的噪声及抑制
    作者： 刘成康 张晓飞 袁祥辉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  170-173
    摘要： CMOS读出电路中的噪声严重地制约了读出电路的动态范围,进而影响到焦平面阵列甚至成像系统的性能.文章对读出电路中KTC噪声、1/f噪声以及固定图形噪声的成因及抑制技术进行了分析和讨论,并给出...
  • 50. 4×4区域调制多模干涉耦合器SOI光波导开关的设计
    作者： 严清峰 余金中 刘忠立
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  174-177
    摘要： 根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理,以2×2区域调制多模干涉光开关为基础,采用级联的方式设计了4×4区域调制多模干涉SOI光波导开关.用有限差分二维BPM方法模拟了器件在不同工作状态...
  • 51. 聚合物9×9阵列波导光栅复用器的工艺研究
    作者： 崔占臣 张大明 王菲 衣茂斌 赵禹 陈开鑫 马春生
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  178-181
    摘要： 首次采用铝掩模工艺制备出9×9硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.结果表明,在AWG器件制作工艺上,铝掩模技术明显优于厚胶掩模技术.用这种技术制备的器件,其结构指标与理论设计相符合.
  • 52. 全光再生中的时钟恢复技术
    作者： 任晓敏 张瑞康 黄永清
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  182-186
    摘要： 随着超高速大容量的光网络的发展,全光再生技术成为目前的研究热点.其中全光的时钟恢复是全光再生技术的重要组成部分, 是全光再生中定时、整形的基础.文章在阐述了目前各种全光时钟恢复技术研究所取得...
  • 53. 光开关矩阵中Crossbar光交换网络的研究
    作者： 曹明翠 罗风光 胡巧燕
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  187-190
    摘要： 针对DWDM光网络光交叉连接中光开关矩阵对其光交换网络的要求,分析了目前常用的置换型和常规型Crossbar光交换网络的性能,提出了一种新型的寻径型Crossbar光交换网络及其光学实现方法...
  • 54. DWDM系统中均匀光纤光栅的设计
    作者： 关锐雄 刘伟平 刘颂豪 廖常俊 李红 郑力明 陆尧胜
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  191-194
    摘要： 分析了用于DWDM系统均匀光纤光栅反射特性与光栅、光刻条件的关系;给出了用于DWDM系统中的光纤光栅的设计原理、方法及确定光栅参数的流程.采用高斯光束和均匀相位模版,用二次曝光技术,有效消除...
  • 55. MOS功率驱动高速脉冲激光器的研究
    作者： 魏进
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  195-197
    摘要： 运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,...
  • 56. 采用FPS110的指纹识别仪
    作者： 李志敏 李育才 王洪建 陈杰
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  198-200
    摘要： 较详细地介绍了FPS110 指纹图像传感器的结构、特性和工作原理,并给出了采用MCU和FPS110所组成的指纹识别仪的硬件设计方法及程序流程.
  • 57. 影响聚合物电致发光器件旋涂膜厚因素的研究
    作者： 刘陈 尹盛 徐重阳 王长安 钟志有
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  201-204
    摘要： 采用正交试验设计,应用方差分析方法,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度、匀胶机的旋涂速度和加速度以及旋涂时间对所制备的薄膜厚度的影响.试验和分析结果表明:溶液浓度和旋涂速度对薄膜厚度具有显著性...
  • 58. ITO表面处理对OLED性能的影响
    作者： 刘陈 尹盛 徐重阳 王长安 钟志有
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  205-209
    摘要： 根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同...
  • 59. CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制
    作者： 张坤 李平 汪朝敏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  210-211，214
    摘要： 依据等离子刻蚀机设备在CCD 研制中所起的关键作用,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨,并给出了解决办法和结果.
  • 60. 选择外延MOVPE的表面迁移
    作者： 周帆 王圩 董杰 邱伟彬
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年3期
    页码:  212-214
    摘要： 研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga 组分减少;随着Ⅴ/...

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 信息产业部优秀电子期刊
2. 重庆市优秀期刊

半导体光电统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
  • 期刊分类
  • 最新期刊
  • 期刊推荐
  • 相关期刊
一般工业技术 交通运输 军事科技 冶金工业 动力工程 化学工业 原子能技术 大学学报 建筑科学 无线电电子学与电信技术 机械与仪表工业 水利工程 环境科学与安全科学 电工技术 石油与天然气工业 矿业工程 自动化技术与计算机技术 航空航天 轻工业与手工业 金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报 半导体光电 半导体光子学与技术(英文版) 半导体技术 半导体学报(英文版) 北京电子 电信建设 北京通信之窗 吉林大学学报(信息科学版) 重庆邮电大学学报(自然科学版) 湖南邮电职业技术学院学报 磁性材料及器件 电波科学学报 电声技术 电讯技术 电子学报 电子学报(英文) 电力电子 电力系统通信 电路与系统学报 电气电子教学学报 电视技术 影视制作 电信工程技术与标准化 电信交换
电子设计工程 信息技术 计算机与数字工程 中国新通信 电子测量技术 电子世界 电子测量与仪器学报 激光与红外 光电工程 通信技术 电视技术 光学技术 电子制作 机械设计与制造工程 电子测试 激光与光电子学进展 数字技术与应用 半导体学报(英文版) 信息通信 激光杂志 移动通信 现代雷达 信号处理 电子元件与材料 电子科技
半导体光电
按字母查找期刊：

联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com

京ICP备2021016839号 营业执照 版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号