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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 31. 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证
    作者： 刘明 康晓辉 张立辉 李志刚 谢常青
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1323-1327
    摘要： 在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-Ⅴ特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正...
  • 32. 电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响
    作者： 任慧志 侯国付 张晓丹 耿新华 薛俊明 赵颖 郭群超
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1353-1358
    摘要： 在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm...
  • 33. 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析
    作者： 张波 李肇基 段宝兴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1396-1400
    摘要： 提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2DMEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为...
  • 34. 新型SON器件的自加热效应
    作者： 卜伟海 吴大可 田豫 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1401-1405
    摘要： 分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空...
  • 35. 硅基微型直接甲醇燃料电池的研究
    作者： 刘理天 姜英琪 王晓红 谢克文 钟凌燕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1437-1441
    摘要： 设计了一种基于MEMS技术的硅基微型直接甲醇燃料电池(DMFC),采用流体力学软件进行了DMFC三维阳极模型的模拟,利用MEMS加工技术和PDMS封装工艺实现了这种燃料电池,并在室温下对有效...
  • 36. SiO2/Si波导应力双折射数值分析
    作者： 夏君磊 安俊明 李健 李健光 梁希侠 王红杰 班士良 胡雄伟 郜定山
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1454-1458
    摘要： 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2...
  • 37. 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析
    作者： 佟存柱 吴荣汉 彭红玲 牛智川 韩勤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  1459-1463
    摘要： 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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