半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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  • 作者: 刘忠立 张波 洪根深 肖志强
    发表期刊: 2006年10期
    页码:  1750-1754
    摘要: 介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0.8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关...
  • 作者: 刘一阳 张旭辉 张浩力 张福甲 陶春兰
    发表期刊: 2006年10期
    页码:  1771-1775
    摘要: 报道了并五苯的邻-1,2-氯苯溶液的制备方法及在Si和SiO2表面形成的固态薄膜的紫外-可见光光谱(UV-Vis)、光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD...
  • 作者: 杨燕 王文博 郝跃
    发表期刊: 2006年10期
    页码:  1823-1827
    摘要: 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45n...
  • 作者: 刘理天 庄志伟 王喆垚
    发表期刊: 2006年10期
    页码:  1844-1850
    摘要: 研究了基于SOI(silicon on insulator)工艺的压阻悬臂梁传感器的静态和动态特性,推导了其用于表面应力测量时灵敏度和分辨率的表达式.分析了各种参数对性能的影响,提出了参数设...
  • 作者: 何政 徐运华 汤英文 游达 许金通 龚海梅
    发表期刊: 2006年10期
    页码:  1861-1865
    摘要: 报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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