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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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  • 31. 高压二极管中局域铂掺杂的寿命控制新技术
    作者： 亢宝位 孙月辰 张斌 贾云鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  294-297
    摘要： 提出一种寿命控制新技术--氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术.所有样管首先进行能量为550keV,剂量为1×1013～5×1017cm-2的氢离子辐照;接着分别进行700～750℃,15～...
  • 32. AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟
    作者： 余志平 刘明 夏洋 王燕 薛丽君 谢常青 邵雪 马杰 鲁净
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  298-303
    摘要： 考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了...
  • 33. 化学气相传输法生长ZnO单晶
    作者： 李晋闽 段满龙 董志远 赵有文 魏学成
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  336-339
    摘要： 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石...
  • 34. InN薄膜的退火特性
    作者： 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 毕朝霞 江若琏 濮林 谢自力 赵红 郑有炓 陈敦军 韩平 顾书林
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  340-344
    摘要： 对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的...
  • 35. 纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用
    作者： 林赏心 王启明 郭亨群
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年2期
    页码:  345-349
    摘要： 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜,在室温下观察到光致发光现象,峰值分别位于360,430和835nm,结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理....

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

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