半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
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35317
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  • 作者: 揭斌斌 薩支唐
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  613-619
    摘要: 本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高...
  • 作者: 李思渊 杨建红 汪再兴
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  645-649
    摘要: 提出了一种描述静电感应晶闸管在阻断态时的工作机理的SIT-BJT等效模型.在器件物理的基础上,分析得到的这个模型衔接了静电感应晶闸管的物理参数和结构参数,而且给出的数值分析和理论分析证明了这...
  • 作者: Sun Yu 孔端花 孙瑜 张云霄 张伟 朱洪亮 梁松 王保军 王列松 王桓 王鲁峰 陈定波
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  682-685
    摘要: 制作了1.55μm InGaAsP-InP三段式混合光栅型DFB激光器.观察到了20GHz左右的自脉动信号.讨论了自脉动的产生机制,并且对调相区所起的作用进行了研究.
  • 作者: 淮永进 韩郑生
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  701-705
    摘要: 提出了一种可以把脉搏压力信号直接转换为电流信号输出的高精度阵列脉搏传感器.采用牺牲层法加工晶体管的栅极与CMOS工艺具有良好的兼容性.对传感器栅电容和输出电流进行测试,在1.5~9.5kPa...
  • 作者: 任铮 胡少坚 赵宇航
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  737-740
    摘要: 通过对CMOS的PSP模型中四衬底电阻网络的等效电路进行Y参数分析,得到衬底电阻参数的完整提取方法.应用该方法提取了90nm CMOS工艺中射频nMOS器件的衬底电阻参数,实验数据和仿真比较...
  • 作者: 任晓敏 周守利
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  741-745
    摘要: 基于热场发射.扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(BB结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对BB结耗尽层基区侧复合电...
  • 作者: 朱大鹏 罗乐
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  774-779
    摘要: 在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2...
  • 作者: 余金中 李成 林桂江 赖虹凯 邓和清 陈松岩
    发表期刊: 2008年4期
    页码:  785-788
    摘要: 提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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