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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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  • 1. 多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法
    作者： 仝良玉 蒋长顺 高辉
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  1-4
    摘要： 随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(SiP)受到了越来越多的关注.由于多芯片的存在,SiP的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性...
  • 2. LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制
    作者： 刘建军 柳龙华 王志勤 王运龙 邱颖霞
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  5-9,17
    摘要： 以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象,介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法.分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素.阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层结构设...
  • 3. 纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响
    作者： 毛祥根 秦会斌 莫洪强
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  10-13
    摘要： 鉴于环氧树脂胶黏剂导热性能已不能满足实际应用的散热要求,以环氧树脂为基体,纳米级粒子A1N、BN和A12O3为填充物,通过填充不同质量的粒子来研究对胶黏剂导热性能的影响.结果表明,在填充质量...
  • 4. 光电器件用金属外壳高频性能的改进
    作者： 姚科明 崔大健 袁中朝 许健
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  14-17
    摘要： 金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响.从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进.通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的...
  • 5. 一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计
    作者： 李天阳 解同同
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  18-21
    摘要： 当前,嵌入式Flash广泛应用于嵌入式系统领域,便于系统进行软件在线更新和系统维护.嵌入式NOR Flash可以“嵌入”在芯片中作为高速缓存,对于提升芯片整体性能作用明显.传统的嵌入式NOR...
  • 6. 高速SRAM编译器时序算法
    作者： 吴海宏 彭力 黄奔
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  22-25,38
    摘要： 介绍了一种通用嵌入式存储器(SRAM)编译器时序建模的方法.通过对存储器关键路径延时分析,时序模型采用分段拓展的建模方式,用Rows、Columns来对SRAM进行分段,分别讨论各段对时序的...
  • 7. 一种高速LVDS接收电路的设计
    作者： 周晓彬 胡庆成 贺凌炜
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  26-28
    摘要： 提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)接收电路.该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3V或更低时不能...
  • 8. 一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计
    作者： 孙杰杰 潘滨 胡晓琴 袁同伟
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  29-33
    摘要： 设计了一种应用于反熔丝OTP存储器的灵敏放大器电路,该电路采用电压型灵敏放大,通过严格的读控制时序,该灵敏放大器能够准确无误地读出并锁存反熔丝存储单元的存储状态.电路结构简单、功耗低、电阻识...
  • 9. L波段大功率开关的研制
    作者： 孟向俊 宋艳 杨磊 许庆 黄贞松
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  34-38
    摘要： 根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理.采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上.相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无...
  • 10. 0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS研究
    作者： 冯喆韻 汪铭 马千成
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  39-43
    摘要： 介绍一组基于0.18 μm逻辑平台构建的低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS.该组LDMOS涵盖10～30 V应用电压.该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏...
  • 11. 信息动态
    作者：
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  43
    摘要：
  • 12. NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效
    作者： 周朝锋 李晓波 陈亮
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2016年7期
    页码:  44-47
    摘要： 随着移动终端的大量普及,存储器市场需求得到大幅度提升.NAND Flash以其大容量和体积小的优点,在目前的存储器市场占据着越来越重要的地位.产品良率是影响NAND Flash发展的一个重要...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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