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电子与封装期刊
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN：
1681-1070
CN：
32-1709/TN
出版周期：
月刊
邮编：
214035
地址：
江苏无锡市惠河路5号（208信箱）
出版文献量（篇）
3006
总下载数（次）
24
总被引数（次）
9543
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  • 1. 一种基于FPGA的冲击应力下空封键合线短接判定方法
    作者： 季振凯 王培培 黄晓彬
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  1-4,27
    摘要： 陶瓷封装集成电路广泛用于高可靠宇航等产品中,但其空封结构却容易导致内部键合线在受到外部机械冲击后引起相邻键合线短接,影响电路正常工作.在综合考虑高速摄像机和电学组合判定的基础上,提出了一种基...
  • 2. 集成电路真伪辨识方法
    作者： 吕栋 虞勇坚 邹巧云
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  5-8
    摘要： 随着电子产品的高度集成化,电子元器件不断更新换代,旧版本的集成电路逐步停产,加上国外公司的禁运等多种因素的影响,翻新、假冒和伪劣的集成电路越来越多,给电子产品和军用装备的可靠性带来很大的风险...
  • 3. 一种基于CS32FOXX芯片的ADC测试结构的优化方法及其FPGA实现
    作者： 杨晓刚 王月玲 鲍宜鹏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  9-12
    摘要： 随着超深亚微米工艺的发展和SoC基于IP核的设计,使芯片逻辑功能越来越复杂,需要更多的引脚和测试资源.为了满足不同客户的需求,要求芯片的引脚数有灵活性,这直接导致了对芯片测试资源使用有所限制...
  • 4. 12位单斜ADC的设计
    作者： 唐鹤 张波 杨磊 甄少伟 郑炯卫 陈科全
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  13-16
    摘要： 介绍的单斜ADC (Analog-to-Digital Converter,ADC)应用于三维成像激光焦平面读出电路,将读出电路检测到的电压模拟信号转换为数字信号,便于后续的信号处理.根据焦...
  • 5. 7nm工艺下片上电感耦合情况研究
    作者： 吴双 高博 龚敏
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  17-22
    摘要： 基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的PeakView作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的...
  • 6. 一种应用于唤醒电路的高精度RC振荡器
    作者： 朱明旺 李天望
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  23-27
    摘要： 设计了一种应用于唤醒电路、能够完全集成的33.7 kHz RC振荡器.该振荡器采用了由NMOS电压跟随器和一个由PTAT基准电流源提供偏置的快速翻转复制反相器构成的局部电压调整电路.该技术能...
  • 7. 一种MCU可测性优化设计
    作者： 刘云晶 范学仕
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  28-32
    摘要： 为了降低测试成本,提高测试效率,将测试资源划分技术和测试端口复用技术相结合,基于ATE外部测试和BIST内部测试的优点,进行可测性设计.基于ATE的外部测试方法,设计了数字逻辑SCAN链和模...
  • 8. 一种无运放输出可调的带隙基准电压源设计
    作者： 方芳 李娟 杜士才
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  33-35
    摘要： 设计了一种输出可调的带隙基准电压源.该电路结构简单,无运放结构,避免了运放失调电压对基准电压源精度的影响.调整电阻即可调整带隙基准的输出电压.该设计基于TSMC 0.18 μmBCD工艺,采...
  • 9. 90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究
    作者： 刘国柱 吴建伟 曹立超 朱少立 汤偲愉 洪根深 郑若成
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  36-40,43
    摘要： 研究了基于90 nm eFLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及鳊程/擦除时间对FLASH单元抗总剂...
  • 10. 一种NMOS管体区漏电特性的研究
    作者： 乔明 李路
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  41-43
    摘要： 介绍了一种25 V NMOS器件结构,针对NMOS管实验结果中出现的漏电问题进行了测试与仿真分析.根据分析结果提出工艺改进方案,验证并成功改进了漏电问题.
  • 11. 功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善
    作者： 冯超 王振宇 郝志杰
    刊名： 电子与封装
    发表期刊： 2018年8期
    页码:  44-48
    摘要： 功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件.而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标.针对U...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号（208信箱）

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