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电子元件与材料期刊
出版文献量（篇）
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）  
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 1. Li过量对M-相固溶体Li2O-Nb2O5-TiO2陶瓷微波介电性能的影响
    作者： 周晓华 张树人 徐宁 李恩竹
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  1-3
    摘要： 含有M-相固溶体Li2O-Nb2O5-TiO2(LNT)的微波介质陶瓷具有烧结温度(约1100℃)低,介电常数ε(r)65～70)及Q·f值(约5000 GHz)高的特点,但其频率温度系数τ...
  • 2. Co2O3掺杂对0.965MgTiO3-0.035SrTiO3微波介质陶瓷性能的影响
    作者： 李月明 汪启轩 汪婷 沈宗洋 洪燕 王竹梅
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  4-8
    摘要： 采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.5％～5.0％,质量分数)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3 ( MST0.035)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST...
  • 3. Li2ZnTi3O8微波介质陶瓷烧结工艺的研究
    作者： 吕学鹏 周伟 周斌 赵毅杰 郑勇
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  9-13,17
    摘要： 采用传统固相反应法制得Li2ZnTi3O8微波介质陶瓷,研究了主要烧结工艺参数对所制陶瓷的物相组成、显微组织及微波介电性能的影响.结果表明:经900℃预烧并在1 075℃保温4h所得陶瓷试样...
  • 4. Zn位非化学计量对BaNb0.69(Zn0.116Co0.217)O3微波介电性能的影响
    作者： 丘泰 廖培君 沈春英
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  14-17
    摘要： 采用传统固相反应法制备BaNb0.69[Zn0.116(1+0.025x)CO0.217]O3(BCZN)(x=0～4)微波介质陶瓷.研究了Zn位离子的微量添加对BCZN陶瓷性能的影响.结果...
  • 5. CaTiO3含量对PTFE/TiO2复合材料性能的影响
    作者： 周德 袁颖
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  18-21
    摘要： 采用类似于粉末冶金的工艺,制备了金红石型TiO2填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了CaTiO3掺杂量对所制复合材料热学、介电性能的影响.结果表明:随着CaTiO3含量的增加,复合材...
  • 6. La2O3掺杂对Mn-Co-Ni系NTC热敏电阻材料性能的影响
    作者： 唐伟 张大伟 汶建彤 王忠兵 甘中东
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  22-25
    摘要： 采用传统陶瓷工艺制备了Mn1.6Co0.8Ni0.6O4-xLa2O3(x=0,0.01,0.03,0.05,0.07)系列NTC热敏电阻样品,运用XRD、SEM和电性能测试等手段,研究了L...
  • 7. 信息动态
    作者：
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  25,38,41,45,55,63,66,70,80,86,前插2
    摘要：
  • 8. 水热法制备Co掺杂WO3气敏材料及其性能研究
    作者： 张永辉 桂阳海 王焕新 田俊峰 赵建波
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  26-29
    摘要： 采用水热法合成了Co掺杂的纳米WO3气敏材料,研究了不同含量Co掺杂的WO3气敏材料的气敏性能以及环境湿度对其性能的影响.结果表明,少量Co掺杂可以提高WO3的气敏性能,Co掺杂量为质量分数...
  • 9. 连续工艺合成高纯碱式碳酸镍的研究
    作者： 付向辉 危亚辉 张翔宇 薛生晖
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  30-34,38
    摘要： 为得到高纯碱式碳酸镍,以电解镍新液为镍源,工业碳酸钠为沉淀剂,开展了连续反应工艺合成碱式碳酸镍的研究,并利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对产品的形貌和结构分别进行了表征.试验结...
  • 10. CaO掺杂对NiCuZn系铁氧体性能的影响
    作者： 余捷 周洪庆 徐志明 沈伟 赵建新
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  35-38
    摘要： 采用传统陶瓷制备工艺制备了CaO掺杂的低温烧结(Ni0.2Cuo.2Zn0.6)1.02(Fe2O3)0.98(NiCuZn)系铁氧体材料,研究了CaO掺杂量对NiCuZn铁氧体电磁性能和微...
  • 11. TaN微波功率薄膜匹配负载的设计及制备
    作者： 张雪峰 李会容
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  39-41
    摘要： 基于有耗传输线理论设计了频率为DC-3GHz的TaN微波功率薄膜匹配负载,采用HFSS软件仿真了匹配负载的频率特性.根据设计仿真结果,采用反应磁控溅射和掩模图形化方法制备了TaN微波功率薄膜...
  • 12. 复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件
    作者： 卿朝进 李天倩 王军 蔡育 阳小明
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  42-45
    摘要： 为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成.复合埋层不仅改善了...
  • 13. 覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究
    作者： 张国俊 戴丽萍 王姝娅 葛微微 钟志亲
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  46-48
    摘要： 通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡( BST)膜.对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行...
  • 14. 脊双模波导滤波器的分析及设计
    作者： 王锡良 胡大成 陈冰洁
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  49-51,55
    摘要： 介绍了一种能实现脊双模波导滤波器的新型结构,分析了其腔内模式的耦合极性,利用不同的耦合极性对频率响应的影响可实现具有一对传输零点的双模滤波器,也可实现无传输零点的双模滤波器.以相同脊谐振单元...
  • 15. 叠层片式射频EMI滤波器的研制
    作者： 刘季超 徐鹏飞 李建辉 李耀坤 樊应县 马国超
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  52-55
    摘要： 以LTCC制造技术为基础,自主研制了一种叠层片式EMI滤波器.在研制过程中,通过选择合适的高频介质陶瓷和优化的内电极材料与走线方式,使滤波器获得了超低直流电阻值.测试结果表明:在测试频率为7...
  • 16. 时效对Sn3.0Cu0.15Ni/Cu界面组织的影响
    作者： 刘平 钟海峰 顾小龙
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  56-59
    摘要： 研究了150℃时效0,200,500h对Sn3.0Cu0.15Ni/Cu界面组织结构的影响.结果表明:界面金属间化合物层由Cu6Sn5层和Cu3Sn层组成,质量分数为0.15％的Ni的加入会...
  • 17. ZnO微球的自组装及其发光性能研究
    作者： 刘文琪 林志东 王学华 蔡鹏 许永
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  60-63
    摘要： 采用水热法合成了不同形貌的ZnO微球,利用XRD、TG-DSC、FT-IR、PL和SEM等分析了水热产物及其焙烧产物的形貌、结构和光致发光性能.结果表明,水热温度及焙烧过程对产物有显著影响,...
  • 18. 超薄PCBM层提高有机太阳电池效率
    作者： 木丽萍 谢再新 谢勇
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  64-66
    摘要： 为研究超薄PCBM层对有机太阳电池的影响,制备了含和不含超薄PCBM层的两种不同结构的体相异质结太阳电池,电池结构分别为:ITO/PEDOT:PSS/P3HT+PCBM/PCBM/AI,IT...
  • 19. 高压薄膜脉冲电容器放电性能的研究
    作者： 陈景忠
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  67-70
    摘要： 高压薄膜脉冲电容器是放电触发电路中的重要储能器件,通常用于产生高功率大电流脉冲.分析高压薄膜电容器性能检测指标及实际放电过程,找出了高压薄膜电容器样本失效原因,采取提高卷绕电容器芯工艺水平措...
  • 20. 超级电容器用NiO多孔薄膜电极材料的研究进展
    作者： 张文彦 李广忠 李纲
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  71-75
    摘要： 超级电容器是一类新型绿色储能器件,特别适合在有高功率密度需求场合下使用,具有极其广阔的应用前景.NiO因价廉、来源广泛、环境友好和电化学性能优良等优点而成为备受青睐的超级电容器用正极材料.综...
  • 21. 硅通孔技术的发展与挑战
    作者： 仝良玉 刘培生 施建根 沈海军 黄金鑫
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  76-80
    摘要： 3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势.介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型；同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通...
  • 22. Mn-Zn铁氧体掺杂与结构-性能的研究进展
    作者： 丁川 曹亮亮 曾燕伟 殷文慧
    刊名： 电子元件与材料
    发表期刊： 2012年12期
    页码:  81-86
    摘要： Mn-Zn铁氧体以其高磁导率、低损耗和低矫顽力等特点,在功能器件中具有潜在的应用前景.介绍了基本配方对Mn-Zn铁氧体的相组成及电磁性能的影响,综述了近年来不同添加剂掺杂对Mn-Zn铁氧体材...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料评价信息

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电子元件与材料统计分析

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