覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究

• 作者: 张国俊 戴丽萍 王姝娅 葛微微 钟志亲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体功率器件 钛酸锶钡(BST)膜 结终端 场限环
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 2626字
• 语种: 中文

摘要

通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡( BST)膜.对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较.结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50％.这证明BST膜能够提高器件的击穿电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	戴丽萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	54	5.0	6.0
3	钟志亲	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	38	4.0	5.0
4	王姝娅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	45	4.0	6.0
5	葛微微	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	8	1.0	2.0