硅通孔技术的发展与挑战

• 作者: 仝良玉 刘培生 施建根 沈海军 黄金鑫
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 三维封装 综述 高性能
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN605
• 字数: 4773字
• 语种: 中文

摘要

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势.介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型；同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等；最后分析了其可靠性以及面临的挑战.TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘培生	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	35	147	7.0	9.0
5	黄金鑫	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	8	63	4.0	7.0
9	仝良玉	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	7	52	5.0	7.0
13	沈海军		5	44	4.0	5.0