硅通孔互连技术的开发与应用

• 作者: 封国强 王水弟 蔡坚
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔互连 三维封装 MEMS封装
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.11.005

摘要

随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究.文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用.最后,进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡坚	清华大学微电子学研究所	23	198	7.0	14.0
2	王水弟	清华大学微电子学研究所	16	202	7.0	14.0
3	封国强	清华大学微电子学研究所	3	34	3.0	3.0