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微电子学2006年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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181. 14位流水线A/D转换器采样电容值的优化刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对14位流水线A/D转换器中各级采样电容值的优化问题,提出了在系统模型中加入热噪声模型的方法.在14位流水线A/D转换器结构下,通过系统级仿真,得出采样保持放大器(SHA)的采样电容Cs必...
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182. 热激励硅谐振梁压力传感器开环测试系统设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 设计了一个开环测试系统,利用锁相放大器能够对微弱信号进行有效检测的特点,采用交流激励、二倍频拾振的方法,实现了对热激励硅谐振梁压力传感器谐振输出的微弱信号的检测.该测试系统能够快速测得传感器...
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183. 射频高损耗硅基双互连线建模刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 针对高损耗硅衬底,采用部分元等效电路法和准静磁积分公式,将衬底涡流等效为衬底镜像电流,建立射频硅基双互连线等效电路模型.该模型考虑了趋肤效应、邻近效应和衬底损耗对互连线串联电感Ls和串联电阻...
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184. 高压SOI-LDMOS截止频率研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在SOI SRAM锁存器型灵敏放大器中,设计了一对小的下拉管,用来动态地释放交叉耦合反相器中N管上的体电荷.这种动态体放电的方法有效地解决了部分耗尽SOI CMOS器件体电位不匹配的问题,得...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种基于Bark小波变换参数的语音寂声/语声段检测方法.利用Bark小波的频率分级和能量聚焦能力,提取语音信号在不同子带上的统计参数;引入基于模糊熵的参数有效性分析,获得所有子带参数中...
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187. 系统芯片的可测性设计与测试刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 阐述了系统芯片(SoC)测试相比传统IC测试的困难,SoC可测性设计与测试结构模型,包括测试存取配置、芯核外测试层,以及测试激励源与测试响应汇聚及其配置特性、实现方法与学术研究进展,介绍了基...
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188. 一种用于负LDO稳压器的高精度带隙基准源刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种高精度带隙基准电路结构.采用二阶曲率补偿技术,通过增加一正温度系数项,补偿电路中Vbe(T)展开的负温度系数对数项,改善了基准电压源的温度稳定性.应用该基准电路,设计了一个负输出低...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种全集成的LC压控振荡器(VCO)的设计.该电路的中心频率为3.8 GHz,电源电压为1.8 V,采用0.18 μm CMOS工艺制作.测试结果表明,VCO的相位噪声在偏离中心频率1...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CM...
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191. 一种硅光电接收处理集成电路的技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种在硅衬底上集成光电二极管探测器和双极接收放大处理电路的单芯片光电集成电路OEIC.从理论上阐述了光电器件实现的原理;为实现光电探测二极管与单片双极集成电路的兼容,设计了光电探测器的...
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192. 一种高精度低压差电压调整器刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种高精度低压差电压调整器(LDO)的电路设计.该电路采用2 μm CBIP工艺技术制作,具有输出精度高(±0.8%)、输入输出压差低(0.20 V,100 mA)、温度系数低(-55...
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193. 一种新型高线性度MOS采样开关刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种提高MOS采样开关线性度的新方法.通过采用电阻分压电路实现一个处于线性工作状态的"复制"MOS管,使其与采样MOS管具有相同的阈值电压.较之传统栅压自举开关,此新型MOS采样开关能...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术.该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能.该电路结构产生的带隙基准电压...
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195. 一种大动态视频对数放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种大动态范围视频对数放大器的设计,并给出了研制结果.该视频对数放大器是在自制单片IC基础上混合集成,单片IC采用PN结隔离双极工艺制作.经测试,该电路动态范围达84 dB、增益为75...
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196. 一种CMOS视频D/A转换器的设计与应用刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种10位200 MHz CMOS电流舵视频D/A转换器(DAC)实现电路.权衡线性度、功耗、面积以及弱化毛刺等因素,该DAC的高6位采用单位译码矩阵,低4位采用二进制加权阵列.采用新...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 设计了一种可用于欠采样情况的高精度、低功耗采样/保持电路.在40 MHz时钟频率下,采样90 MHz输入信号时可达11位以上精度.采用电容翻转结构的采样/保持电路,以消除电容失配的影响;使用...
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198. 一种10位40 MHz两步式A/D转换器刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种基于两步转换法(5+6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积.采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6 μm BiC...
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199. 一种串行逐次逼近10位 D/A转换器刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 首先对几种形式的D/A转换器进行了比较,设计了一种电容型D/A转换器.这些电容在逐次逼近结构中构成二进制权阵列.这种结构的D/A转换器动态范围大、建立时间短,精度易于保证;且它的温度系数、电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种两倍增益高线性、高速、高精度采样/保持电路.该采样/保持电路通过对输入信号实现两倍放大,改善了高频非线性失真;一种新型的消除衬底偏置效应的采样开关,有效地提高了采样的线性度;高增益...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 在流水线结构A/D转换器中,参考电压的波动将会影响到其转换精度.文章分析了参考电压变化对A/D转换器整体性能的影响,通过Matlab仿真加以验证.并基于带隙基准源,为一个10位40 MHz采...
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202. 复合多晶硅栅LDMOS的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法.此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材...
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203. 一种单刀双掷高速模拟开关的研制刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种单刀双掷高速模拟开关;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计.该高速模拟开关具有速度快、功耗低、隔离度高、关断漏电流小等特点.其内部电路设计有控制输入级、电平转换级、高...
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204. 超高频无源射频标签的射频接口设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 对射频标签能量供应原理进行了详细的理论分析,设计了一个超高频远距离无源射频标签芯片的射频接口电路,包括电源恢复电路、稳压电路及解调整形电路.解决了超高频无源射频标签远距离能量供应和信号获取的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了一种基于蛙跳式低通滤波器原型综合而成的复数滤波器.该电路具有较低的灵敏度,从而提高了稳定性.滤波器的自动调谐系统具有设计简单、精度易控制等特点,并可在调谐完成后关闭,减少了功耗以及与滤...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 设计实现了一种基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺的4阶有源RC低通滤波器(LPF).该LPF同时满足GSM和WCDMA的带宽性能,并且在两种模式下有元件最大的共享度.由于GS...
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207. 基于DA和专用累加器的高性能DCT结构刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 提出了一种基于分布式算法(DA)和专用累加器的高性能DCT结构.该专用累加器由32压缩器、42压缩器、条件和选择器(CSS)和超前进位加法器构成,可以在单周期内实现来自LUT的四个部分积的累...
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208. X波段砷化镓单片驱动功率放大器刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了X波段砷化镓单片驱动功率放大器的结构设计、CAD设计、工艺制作及测试结果.该放大器工作频率高、增益高,同时具有一定的输出功率,适用于各种应用环境.X波段砷化镓单片驱动功率放大器工作在8...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 利用RESURF与场板结构结合的技术,设计了一种可以兼容低压BiCMOS工艺的LDMOS器件.该器件的漂移区长度l≤60 μm,就可实现600 V以上的耐压,适用于高低压单片集成电路芯片开发...
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210. 多探针自动测试台的技术改造刊名： 微电子学发表期刊： 2006年6期页码:摘要： 介绍了将测试75 mm圆片的多探针自动测试台改造为测试100 mm圆片的多探针测试台.在原设备的基础上,重新设计加工X轴和Y轴的丝杆和导轨及承片台,控制由TP801单板机改为80C32单片机...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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