复合多晶硅栅LDMOS的设计

• 作者: 刘琦 刘磊 柯导明 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 复合栅 跨导 截止频率 功函数 LDMOS 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 810-813
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.06.030

摘要

提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构,并提出了具体的工艺实现方法.此结构采用栅工程的概念,设计的栅由S-gate和D-gate两块并列组成,S-gate用高功函数P型多晶硅材料,D-gate用低功函数N型多晶硅材料.MEDICI模拟结果表明,该结构能够降低沟道末端和漏极附近的最高电场强度,提高器件的跨导和截止频率;同时,还能够提高器件的击穿电压,并减小器件的热载流子效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	安徽大学微电子系	24	41	3.0	5.0
2	柯导明	安徽大学微电子系	83	423	10.0	17.0
3	陈军宁	安徽大学微电子系	160	1135	16.0	26.0
4	高珊	安徽大学微电子系	28	89	6.0	8.0
5	刘琦	安徽大学微电子系	5	27	3.0	5.0