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微电子学2012年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 从2阶闭环系统的角度出发,推导并分析了单粒子瞬变(SET)电流在密勒运算跨导放大器(OTA)中的传导效应.通过理论分析,发现OTA两级跨导比例(Gm2/Gm1)的大小不仅决定了系统闭环的稳定...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 设计了一种高精度宽带数字控制可变增益放大器,利用增益加强技术改进可变增益放大器的步进精度；同时,引入零点抵消技术,并加入源极负反馈电容,在不增加额外功耗的条件下,拓展了带宽.该电路采用0.1...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种融合电流映射传输方式的电压反馈型高速宽带运算放大器的工作特性.结合高速宽带运算放大器工作原理,对设计思路进行分析.研究了影响高速宽带运算放大器特性的相关因素,讨论了优化运算放大器动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 设计并验证了亚阈区MOS管作反馈大电阻的电阻反馈跨阻型(RTIA)非制冷热释电红 外焦平面读出电路.在此基础上,对采用浅耗尽(Native) MOS管实现同样功能的RTIA进行仿真.与采用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 研究了二维5/3提升结构离散小波变换的算法特点和电路架构.为了有效降低存储消耗并提高电路速率,提出一种流水线优化的四核并行处理架构,即由两个行处理核并行读入奇数行和偶数行数据,进行水平方向的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 基于功率晶体管BLF6G21-10,采用负载牵引的大信号方法,实现了一种应用于TD-SCDMA基站系统的功率放大器.仿真和测试结果表明,设计的功放完全满足高效率、高线性度的指标要求.同时,通...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 基于谐振磁复位技术,设计了一种单端正激变换器,通过变压器激磁电感和谐振电容,将变压器磁芯能量转换到输入源,并防止变压器磁芯饱和.在转换过程中,激磁能量通过准正弦波的形式,先由变压器激磁电感传...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对已有锁相电路的特性不能完全满足实际项目需求的缺点,设计了一种新的2.5 GHz锁相环检测电路.完成了锁定检测电路的整体设计,并基于SMIC 0.18 μm工艺进行重新设计.采用HSPIC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出一种基于改进差分进化算法和开关电流微分器的连续小波变换实现的新方法.引入混沌初始化种群、自适应变异和指数递增交叉概率因子,提高差分进化算法的收敛速度和精度,构造小波函数逼近模型,并利用改...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： SATA作为新一代硬盘接口规范,近年来被广泛应用于固态硬盘的开发,而通信数据的加扰与解扰正是SATA接口设计的重要内容.在分析数据加扰/解扰原理的基础上,研究基于m-序列的数据扰码算法和技术...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 随着电子产品的高速发展,采用EDA软件进行电路仿真与设计已成趋势.针对电子产品设计方法的不断更新,讨论了电子产品的最优化设计.以低通滤波电路设计为例,借助AltiumDesigner软件,对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 对输出可调谐振开关电容变换器中存在的潜电路进行了研究,对潜电路状态及其激励条件进行了分析,讨论了减小潜电路影响的措施.仿真对比分析证明,输出可调谐振开关电容变换器的输出功率存在限制；同时,采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 比较器是Bang-Bang控制模式开关电源的核心模块.由于Bang-Bang控制模式开关电源的开关频率很高,因此对比较器的速度要求很高.通过对输入信号进行预放大,采用轨对轨的结构,实现了对比...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路.利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比；应用低跨导PMOS对管及电路...
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15. 一种低温度系数带隙基准电压源刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路.基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路.采用SMIC 0....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 基于GSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,实现了一种8阶有源RC信道选择滤波器,其截止频率在200 kHz～10 MHz范围内可调,能覆盖GSM,UHF RFID,TD-SCDMA,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： AuSn合金焊料因其具有优良的抗腐蚀、抗疲劳特性和高强度、高可靠性等优点而在气密性封装、射频和微波封装、发光二极管(LED)、倒装芯片(Flip-chip)、激光二极管(LD)、芯片尺寸封装...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系.根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法.考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型.定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性.建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件.但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT).在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间.PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 介绍了一种超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构及制作工艺.该器件增大了N型赝埋层到有源区的距离,采用厚帽层锗硅基区及低浓度发射区的制作工艺,以提高SiGe HBT的击穿电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 针对一种5 V 0.6 μm BiCMOS工艺的纵向NPN管,设计了ESD保护结构.为了克服传统纵向NPN管ESD自触发结构触发电压较高的缺陷,提出一种带P+/N阱二极管的改进型自触发ESD...
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25. ULSI铝布线化学机械抛光研究刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液.阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 通过分析Ag/P3HT/ITO结构样品的载流子注入特性,研究了PEDOT(3,4-Ethylene-dioxythiophene thiophene)的界面修饰对样品薄膜注入特性的影响,其中...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 忆感器是一种具有记忆功能的非线性电感器.根据忆感器的数学模型,建立了Simulink仿真模型,并由该模型的仿真结.果得到关于忆感器的典型特性,验证了模型的有效性.研究了不同参数对忆感器特性的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 芯片结构观察广泛应用于芯片的生产、工艺改进、失效分析和可靠性等领域.芯片结构分为剖面结构和表面各层结构,对芯片进行切片是观察其内部结构的一种较为简便的方法.研磨抛光切片是一项低成本的切片技术...
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29. 宇航元器件搭载试验研究与实践刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 元器件搭载是国内外航天器,特别是新技术试验卫星中的一类重要试验项目,也是推动元器件成熟和宇航应用的重要手段.从元器件搭载试验验证体制、天地联合验证方法、试验组织、试验结论发布和应用等方面,对...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年4期页码:摘要： 研究了极限评估试验技术,选用国内某款GaAs MMIC功率放大器芯片,分析了器件的详细规范、关键参数、极限判据等信息,设计了高温极限评估试验和电压应力极限评估试验的试验剖面,考察器件在热、电...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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