ULSI铝布线化学机械抛光研究

• 作者: 刘玉岭 牛新环 王如 王辰伟 韩丽丽
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 甚大规模集成电路 铝布线 化学机械抛光 抛光液
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 576-579,583
• 分类号: TG146.2|TN305.2
• 字数: 2741字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.04.031

摘要

在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液.阐述了所选pH值调节剂的特点,探讨了其在化学机械抛光过程中的作用机理,并分析了所选表面活性剂所发挥的提高高低选择比的作用.最后,对所选pH值调节剂和表面活性剂对铝化学机械抛光的影响进行了实验研究.结果表明:pH值在11.0时,去除速率最快,约为390 nm/min;表面活性剂的加入对去除速率影响不大,但可以明显改善表面状态,表面粗糙度降至nm级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
3	韩丽丽	河北工业大学微电子研究所	3	14	2.0	3.0
4	王如	河北工业大学微电子研究所	44	252	8.0	14.0
5	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0