微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

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影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 罗锋 肖谧
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  433-436
    摘要: 设计了一种用于2.45 GHz有源标签接收机的低中频正交下变频混频器.改进了传统的吉尔伯特结构,采用了共享跨导正交结构和电流注入技术,以提高混频器的增益,减小混频器的噪声.该混频器采用UMC...
  • 作者: 刘鹏 张万荣 张良浩 王忠俊 王肖 谢红云 邓蔷薇 金冬月 陈鹏辉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  437-440,444
    摘要: 基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA).在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-L...
  • 作者: 桂小琰 牛晓良 王征晨
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  441-444
    摘要: 设计并实现了一种高线性度相位插值器.分析了相位插值器的工作原理和传统相位插值器结构,以此为基础,提出了一种具有高线性度的相位插值器电路.该电路采用TSMC 90 nmCMOS工艺进行设计,后...
  • 作者: 刘虹 庞佑兵 郑永华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  445-448
    摘要: 采用双锁相环混频设计方案,设计了一种低相位噪声频率综合器,实现了单锁相环难以实现的低相位噪声指标.在系统理论分析的基础上,优化了电路布局,实际的电路尺寸为45.0mm×30.0 mm×12....
  • 作者: 林福江 王宇涛 王玥 粟恒智
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  449-453
    摘要: 采用GF 130 nm CMOS工艺,设计了一种低功耗低噪声的电荷泵型双环锁相环,该锁相环可应用于符合国际及中国标准的超高频射频识别阅读器芯片.通过对双环锁相环在带宽和工作频率上的合理设置,...
  • 作者: 张喜 李连辉 段吉海
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  458-462
    摘要: 基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温漂超低功耗的带隙基准电压源.采用无电阻电路结构,使基准电压源具有了超低功耗性能.基于分段线性电流模技术,引入滤波电容,极大地降低了温漂...
  • 作者: 吴江 王亚军 虞致国 赵琳娜 顾晓峰 魏敬和
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  463-466,470
    摘要: 基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种锁定频率范围为0.25~1.25 GHz的低杂散锁相环频率合成器.该电路采用一种改进的高精度电荷泵,以减小电荷共享、电流失配等非理想效应,...
  • 作者: 景为平 黄少卿
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  467-470
    摘要: 设计了一种降压型LED恒流驱动芯片.该芯片采用电流滞环控制技术对输出电流进行恒流控制,实现输出高达2 MHz的开关频率.通过比较外部反馈电阻上的压降与芯片内部的滞环电压,使输出电流的波形为滞...
  • 作者: 刘诗琪 徐渊 陆河辉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  471-475
    摘要: 提出了一种梯度自适应的宽动态CMOS图像传感器像素结构.该像素结构采用多路分流设计,改变了3T-APS图像传感器的单线性响应率;根据不同的光照强度自适应调整响应率,在低照度时具有较大的响应率...
  • 作者: 花正贝 黄鲁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  476-479
    摘要: 提出一种新型的四路正交混频器,基于该正交混频器设计了一种四路正交相位插值器.在TSMC 40 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,在相同的电源电压和仿真环境下,设计的相位插值器与传统结构相比...
  • 作者: 刁盛锡 张吉利 林福江 王子谦 祝军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  480-483
    摘要: 基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种改进型电荷泵电路.在传统电荷泵锁相环中,电荷泵存在较大的电流失配,导致锁相环产生参考杂散,使锁相环输出噪声性能恶化.设计的电荷泵电路在电流源...
  • 作者: 张博 张文涛 张良 马佳琳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  484-487,492
    摘要: 基于TSMC RF 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可应用于IEEE 802.11ac标准的5GHz宽带LC压控振荡器.该振荡器采用了NMOS交叉耦合结构,同时采用了5位开关电容阵列...
  • 作者: 张东亮 曾以成 邓玉斌 陈星燕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  488-492
    摘要: 设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压.采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个...
  • 作者: 冯全源 范建功
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  493-496
    摘要: 在传统带隙基准源的基础上,设计了一种改进型带隙基准源电路,能很好地抑制三极管集电极电流变化对输出的影响,获得很低的温度系数和很高的电源电压抑制比.基于BCD 0.18μm工艺库,仿真结果表明...
  • 作者: 曾以成 邓玉斌 陈星燕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  497-501,506
    摘要: 针对传统LED驱动芯片不适用于大功率连续照明的问题,设计了一种电流随温度自适应调节的LED驱动电路.该电路具备过温滞回关断保护作用.基于CSMC 0.5 μm工艺,Spectre仿真结果表明...
  • 作者: 周银强 高博 高胜凯 龚敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  502-506
    摘要: 采用SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种高线性度、低噪声下变频混频器.通过分析跨导级电流3阶展开项系数,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为射频信号频率的...
  • 作者: 李志军 李成玮 金湘亮 陈媛 马铭磷
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  507-510
    摘要: 针对平面四边形螺旋变压器,提出了一种新型T-型集总参数等效电路模型,所建立的模型包含所有的导线损耗和衬底的寄生损耗;采用并联的L-R和L-R-C网络,模拟了衬底的感性寄生效应;通过二端口网络...
  • 作者: 冯希辰 刘登学 唐可然 杨帆
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  511-514
    摘要: 针对传统数据采集系统的硬件设计复杂、开发周期长、精度低和实时性差等问题,提出了一种基于FPGA的多路数据实时采集与传输系统,并完成了系统程序构架.该系统以FPGA作为核心控制单元,采集到32...
  • 作者: 尹华 李文豪 杜培德
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  519-523
    摘要: 针对机载28 V直流供电系统50 ms供电中断的情况,基于钽电容储能作用,采用充电电路、储能电容、放电电路的结构,设计了一种50 ms断电维持供电电路.在输入正常时,由充电电路将钽电容充电至...
  • 作者: 彭小飞 方祥圣 易茂祥 欧阳一鸣 钱栋良 黄正峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  524-529
    摘要: 为了缓解瞬态故障引发的软错误,提出一种对单粒子翻转完全免疫的加固锁存器.该锁存器使用4个输入分离的反相器构成双模互锁结构,使用具有过滤瞬态故障能力的C单元作为输出级,采用快速路径设计和钟控设...
  • 作者: 田翠翠 舒海翔 陈刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  530-532,536
    摘要: 针对国标2.45 GHz射频识别空中接口协议,提出了一种易于工程实现的OQPSK/DBPSK调制解调系统.该解调系统检测相位差,对扩频序列进行非相干差分解调,且对载波频偏不敏感,不需要载波环...
  • 作者: 邓迟 黄川
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  537-541
    摘要: 利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应.分析了不同类型GNRFE...
  • 作者: 刘言言 尹勇生 王玉莹 邓红辉 陈红梅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  542-546
    摘要: 提出了一种数字后台校准算法,用于校准时间交织模数转换器(Time-Interleaved Analog-to-Digital Converter,TIADC)的时间失配误差.该算法是基于对输...
  • 作者: 张天骐 朱强 闫振华 陈昌川
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  547-552
    摘要: 针对BOC调制信号自相关函数多峰值造成的捕获模糊性问题,提出一种基于相关函数的去模糊性捕获算法.该算法能消除接收信号载频的影响;根据BOC伪码的相关函数计算原理构造与收信号相关的两路本地信号...
  • 作者: 孙捷 孙晓 徐儒 李松宇 邹德恕 郭伟玲 陈艳芳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  553-557
    摘要: 利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数-击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、...
  • 作者: 张林 徐小波 李清华 胡笑钏 谷文萍 高云霞
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  558-561
    摘要: 研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响.仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降.沟道掺杂浓度越低...
  • 作者: 李建仁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  562-566,580
    摘要: 随着半导体技术和数字信号处理器的快速发展,数字控制技术为开关电源提供了新的设计途径.传统的模拟控制技术无法摆脱电路中存在的非线性、误差等问题.数字控制的开关电源具有开发周期短、易于监控等优点...
  • 作者: 孙江 张波 明鑫 贺江平
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  567-571
    摘要: 白光LED应用于LCD面板背光源越来越广泛,其驱动电路随着LCD面板尺寸的增大也相应发展.阐述了从小尺寸面板的驱动电路到大尺寸面板的驱动电路的进展,分析了现有主要应用电路的结构和工作原理.中...
  • 作者: 宋志棠 张琪 李喜 李晓云 王倩 范茜 陈后鹏 雷宇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  572-575
    摘要: 在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重.为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小尺寸的MOS管形成...
  • 作者: 何万波 肖玲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  576-580
    摘要: 为解决导电胶粘接元件接触电阻不稳定的问题,研究了在温度及压力应力条件下,导电胶在不同界面的导电性和体电阻率的变化情况,分析了导电胶接触电阻不稳定的机理.试验结果表明,导电胶粘接片式元件的接触...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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