基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA).在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配.在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗.在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配.利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9 GHz和2.4 GHz 2个工作频段下,其增益(S21)分别为26.69 dB和20.12dB;输入回波损耗(S11)分别为-15.45 dB和-15.38 dB;输出回波损耗(S22)分别为-16.73 dB和-20.63 dB;噪声系数(NF)分别为2.02 dB和1.77 dB;在3.5V的工作电压下,静态功耗仅有9.24 mW.
推荐文章
一种低功耗增益可调双频段低噪声放大器的设计
低噪声放大器
增益控制
电容反馈补偿
噪声系数
噪声优化
输入匹配
一种新型双频段可变增益低噪声放大器
低噪声放大器
双频段
可变增益
阻抗匹配
一种低功耗高线性度低噪声放大器设计
CMOS
RFIC
低噪声放大器
噪声系数
线性度
高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计
低噪声放大器
CMOS
低功耗
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一种低功耗双频段低噪声放大器
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 低噪声放大器 低功耗 双频段 电流复用
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 437-440,444
页数 分类号 TN722.3
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (9)
共引文献  (4)
参考文献  (5)
节点文献
引证文献  (7)
同被引文献  (17)
二级引证文献  (4)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2002(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2004(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
2007(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2010(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2014(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2016(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2018(3)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(0)
2019(7)
  • 引证文献(4)
  • 二级引证文献(3)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
低功耗
双频段
电流复用
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
论文1v1指导