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微电子学期刊
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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  • 1. 用于12位250MS/s电荷域ADC的2.5位子级电路
    作者： 何宁业 何晓雄 薛颜 钱宏文 陈珍海
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  1-5
    摘要： 提出了一种用于12位250 MS/s电荷域流水线模数转换器(ADC)的2.5位子级电路.采用增强型电荷传输电路,实现电荷传输和余量电荷计算,省去了传统流水线ADC中的高性能运放,大幅降低了A...
  • 2. 一种14位100MS/s的流水线模数转换器
    作者： 吴唐政 王娜 谢亮 金湘亮
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  6-10
    摘要： 设计了一种14位100 MS/s的流水线模数转换器(ADC).采样保持电路与第1级2.5位乘法数模转换器(MDAC1)共享运放,降低了功耗.提出了一种改进的跨导可变双输入开关运放,以满足采样...
  • 3. 一种低功耗心电信号采集模拟前端电路
    作者： 张瑛 苏曼卿 邹晓磊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  11-15
    摘要： 设计了一种采用通道复用技术的低功耗心电信号采集电路.该电路由多通路数据选择电路、前置放大器、缓冲器和Gm-C低通滤波器组成.多通路数据选择电路中的开关采用栅压自举型开关结构,提高了线性度.该...
  • 4. 一种10Gbit/s光接收机前置放大器
    作者： 何进 常胜 王豪 童志强 黄启俊 黄善择
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  16-21
    摘要： 基于0.18μm BiCMOS工艺,设计了一种适用于光纤通信的10 Gbit/s光接收机前置放大器.电路由跨阻放大器、两级可变增益放大器、缓冲器、直流偏移消除电路、峰值探测器和自动增益控制环...
  • 5. 一种基于抽头电感的分布式放大器
    作者： 张瑛 苏曼卿 邹晓磊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  22-26
    摘要： 采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于抽头电感的四级分布式放大器.采用抽头电感,减小了片上电感的数量,减小了芯片面积,在保持良好的端口阻抗匹配特性的同时提升了分布式放大器的增益.仿...
  • 6. 采用全差分有源电感的高优值VCO
    作者： 张万荣 张崟 徐曙 杨鑫 谢红云 那伟聪 金冬月
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  27-31
    摘要： 提出了一种高集成度高优值压控振荡器(VCO).采用全差分有源电感,克服了传统螺旋电感面积大、不可调谐的缺点.采用可变电容阵列和开关电容阵列,既扩大了振荡频率的可调范围,又降低了相位噪声.采用...
  • 7. 一种SiGe BiCMOS 140 GHz高增益功率放大器
    作者： 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  32-35,40
    摘要： 基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器.该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均...
  • 8. 一种SiGe D波段高增益低噪声放大器
    作者： 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  36-40
    摘要： 基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器.该放大器由两级Cascode结构和一级共发射板结构组成.利用发射极退化电感来同时实现噪声抑...
  • 9. 基于混合模式快速电荷平衡的神经刺激器
    作者： 姜汉钧 王志华 陈梦莹
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  41-45
    摘要： 设计实现了一种可用于脊髓神经刺激器的多通道大电流神经刺激器.提出将电极短接和插入短电流脉冲相结合的混合模式,在大电流下,能更加快速地实现电荷平衡.电路设计上,将ADC动态比较器的回踢噪声消除...
  • 10. 一种低功耗低温漂振荡器的设计
    作者： 刘全旺 张波 甄少伟 薛卫东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  46-49
    摘要： 基于0.15 μm BCD工艺,提出了一种低功耗低温漂振荡器.分析了环形振荡器的振荡频率温度漂移特性,采用翻转电平优化技术,结合短路电流控制技术,获得了低温度漂移的振荡频率.且电流消耗极低....
  • 11. 一种采用PV补偿的输出缓冲器设计
    作者： 唐晓斌 杨正琳 王巍 袁军 赵元遥 赵汝法
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  50-54
    摘要： 提出了一种采用工艺、电压(PV)补偿的输出缓冲器,以减小PV变化对输出信号压摆率的影响.采用非门与四个相同类型MOS管连接,实现全工艺角的探测.PV探测电路的输出电压与对应的偏置电压比较后得...
  • 12. 用于植入式医疗设备的高PSRR无片外电容LDO
    作者： 张章 程心 解光军 金术良 闫林 韦玲玲
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  55-59
    摘要： 提出了一种用于植入式医疗设备的高电源抑制比(PSRR)无片外电容的低压差线性稳压器(LDO).所设计的LDO采用自适应负载电流追踪的前馈纹波消除技术来产生动态的前馈纹波,以改善其在不同负载电...
  • 13. 一种高电源抑制比LDO
    作者： 李博 杨朋博 罗萍 肖皓洋
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  60-64
    摘要： 采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低压差线性稳压器(LDO).分析了传统LDO在重载高频下电源抑制比(PSR)的缺陷,提出一种带有多级缓冲PSR提升结构的LDO.采用创新的PSR增...
  • 14. 温度试验条件下柱栅阵列仿真失效分析
    作者： 王岑 苏德志 赵丹
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  65-71
    摘要： 陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装是陶瓷球栅阵列(CBGA)封装的衍生技术,能有效缓解CBGA因热失配而引起的失效问题.对CCGA1140封装的材料和结构进行建模,针对焊接过程和热环境试验仿真条件...
  • 15. 一种宽带多模数字抽取滤波器
    作者： 李儒章 王友华 陈凯让 高波
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  72-77
    摘要： 提出了一种应用于连续时间∑-△ADC的多模数字抽取滤波器.通过采用不同类型滤波器级联结构,合理分配不同级间下采样因子,有效降低了电路复杂度、面积和功耗.通过级间滤波器相互配合,实现了该滤波器...
  • 16. 低成本和商业卫星元器件抗辐射保证流程研究
    作者： 刘伟鑫 孔泽斌 曾英廉 楼建设 汪波 王昆黍 马林东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  78-83
    摘要： 为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件.但是,研...
  • 17. 一种宽动态范围低失配的电荷泵
    作者： 张久民 徐卫林 段吉海 汤寒雪 韦保林
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  84-89
    摘要： 采用TSMC 0.18 μm混合CMOS工艺,设计了一种应用在GNSS接收机中低杂散锁相环(PLL)的宽动态范围低失配电荷泵.分析了电荷泵非理想因素和压控振荡器(VCO)调谐增益对参考杂散的...
  • 18. 一种2μm GaAs HBT低相噪宽带VCO
    作者： 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  90-94,100
    摘要： 提出了一种2 μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO).与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导.该VCO采用差分Colpi...
  • 19. 基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO
    作者： 吴凯翔 曹军 蔡运城 赵君鹏 高海军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  95-100
    摘要： 基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO).该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使...
  • 20. 一种高精度电流检测电路的设计
    作者： 刘全旺 张波 甄少伟 薛卫东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  101-105
    摘要： 采用0.18μm BCD工艺,设计了一种高精度电流检测电路.分析了失调电压对电流采样精度的影响,采用斩波差动差分放大器和交叉采样电路,得到好的共模电平设置.采用分时采样的方法,利用逐次逼近模...
  • 21. 新型无结型晶体管特性仿真及性能优化设计
    作者： 孙川川 李圣龙 梁贤赓 王农 赵云富 高瑛珂
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  106-111
    摘要： 随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体上锗衬底的无结型晶体管(GOI-JLT)制作工艺简单、...
  • 22. 声能量收集器的研究综述
    作者： 何星月 杨磊 王德波 薛至诚 谷新丰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  112-117,125
    摘要： 声能是环境中普遍存在的一种能量形式,如何收集并应用这一能量成为当下研究热点.介绍了亥姆霍兹谐振腔、声晶体谐振腔、四分之一波长谐振腔以及其他非腔体结构声能收集系统的结构及其优化方案.实验结果表...
  • 23. 基于石墨烯压阻效应的压力传感器研究进展
    作者： 李方清 李龙飞 王德波
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  118-125
    摘要： 与传统的硅阻型压力传感器、陶瓷型压力传感器相比,石墨烯压力传感器具有测量灵敏度更高、测量范围更广的优点.对几种石墨烯压力传感器的研究进展进行综述.根据制作工艺的不同,将石墨烯压力传感器分为单...
  • 24. PECVD参数对含氢非晶碳刻蚀特性的影响研究
    作者： 董立松 邹雄峰 陈志刚 韦亚一
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  126-131
    摘要： 分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律.首先,针对射频功率、丙烯流量、反应腔压强、极板间距等工艺参数对膜层刻蚀特性的影响进行了实...
  • 25. 一种内嵌NMOS的抗闩锁双向MHVDDSCR
    作者： 刘俊杰 刘志伟 李浩亮 杨波 陈瑞博 陈磊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  132-136
    摘要： 针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽取阱内的空穴与电子,促使反偏PN结内电场...
  • 26. 基于介质嵌层的热电式微波功率传感器特性研究
    作者： 吉新村 李龙飞 王德波 胡加杨 谷新丰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  137-141,147
    摘要： 为改善热电式MEMS微波功率传感器的电-热-电转换效率,提出了一种新型介质嵌层结构.选用Si3N4、新型材料石墨烯分别作为介质嵌层.建立介质嵌层结构的热学模型,采用Ansys软件对热学特性进...
  • 27. 高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响
    作者： 代钢 姬濯宇 牛健
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  142-147
    摘要： 基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电学性能合格测试.对源漏击穿电压B...
  • 28. LDO单粒子闩锁效应及维持电流的特性研究
    作者： 吴福根 夏鹏 张战刚 杨少华 雷志锋
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年1期
    页码:  148-152
    摘要： 针对一种LDO,研究了重离子Cl、Ge辐照触发的单粒子闩锁(SEL)效应.实验结果表明,输入1.8V时,SEL电流范围为850～950 mA;输入3.3V时,SEL电流范围为6.2～6.4m...
  • 29. 基于Cascode级间匹配的多频段LNA设计
    作者： 乐建连 叶甜春 甘业兵 陈福栈
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年2期
    页码:  153-158
    摘要： 提出了一种Cascode级间匹配电路,能够优化Cascode放大器的噪声系数、增益及高频稳定性.应用该电路,设计了一款多频段射频低噪声放大器(LNA).采用0.25 μm GaAs工艺进行实...
  • 30. 一种适用于低ESR应用的高精度RBCOT环路
    作者： 冯捷斐 张波 徐俊 明鑫 梁华 王卓 贾丽伟 辛杨立
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2020年2期
    页码:  159-166
    摘要： 提出了一种适用于低ESR电容、具有快速瞬态响应和高输出精度的纹波控制COT(RBCOT)实现电路,并利用改进的等效三端开关模型,对包含分压网络的控制环路进行了精确的小信号建模.该环路在保持快...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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