微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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3266
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  • 作者: 任黎明 刘明 刘键 吴璇 徐秋霞 朱效立 牛洁斌 王琴 谢常青 赵珉 陈宝钦
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  683-688
    摘要: 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用.介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOL JBX 5000LS、JBX 6300FS纳米电子...
  • 作者: 刘英斌 刘跳 尹顺政 李献杰 蔡道民 赵永林 过帆 齐利芳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  689-693
    摘要: 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测...
  • 作者: 冉金枝 杨建红 蔡雪原 魏莹
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  694-697
    摘要: 针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度Ps变化对GaN基表面电子浓度ns和场效应晶体管转移特性Ja-Vg的影响,给出了典型Ps和εr值下跨导gm与Vg的关...
  • 作者: 叶小娟 宋海岸 都有为 钟伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  698-702
    摘要: 采用溶胶-凝胶技术和旋涂的方法,在Si(100)衬底上制备了Ni掺杂争(Ni、Li)共掺的3种ZnO薄膜(Ni0.10Zn0.90 O、Ni0.10Li0.05Zn0.85O和Ni0.10L...
  • 作者: 冯志宏 冯震 刘波 尹甲运 张森 蔡树军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  703-705,711
    摘要: 对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究.通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(T...
  • 作者: 丁桂甫 杨卓青 陈婧
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  706-711
    摘要: 针对以金属嵌入式Su-8光刻胶作为新型弯曲梁式微驱动器结构材料的特点,在仿真分析过程中,考虑了狭小空气间隙中热传导机制的影响.分析结果表明,器件的工作电压随着悬空高度的增加而降低;当悬空高度...
  • 作者: 丁玉宁 戴新峰 於晓峰 朱健 贾世星 郁元卫
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  712-715
    摘要: 介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1 mm厚的共面波导传输线通过0.3 mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现.这一...
  • 作者: 严伟 周绍林 姚汉民 李展 杨勇 胡松 蒋文波 赵立新 陈旺富
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  716-719,728
    摘要: 首先介绍了光刻技术的发展及其面临的挑战.随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础,而纳米光刻技术是纳米结构制作的基础,基于表面等离子体的纳米光刻作为一种新兴技术有望突破...
  • 作者: 卢峻峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  720-723
    摘要: 论述了一种对阳极氧化铝膜孔径进行测定和评估的方法.此方法通过对已得的阳极氧化铝薄膜提取样本制备扫描电镜(SEM)图像进行处理和分析,最终得到膜孔的尺寸结果.阳极氧化铝膜的膜孔尺寸处在nm级别...
  • 作者: 夏劲松 崔岩 王立鼎 石二磊
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  724-728
    摘要: 采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响.设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52~2....
  • 作者: 向嵘 李野 王国政 王新 田景全 端木庆铎 陈立 高延军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  729-733
    摘要: Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现.简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径...
  • 作者: 刘冰 孔令涛 黄钊洪
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  734-737
    摘要: 研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  738-742
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  封4
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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