Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析

• 作者: 冯志宏 冯震 刘波 尹甲运 张森 蔡树军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化镓 AlN插入层 喇曼散射 光荧光谱 应力 Si衬底
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 703-705,711
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN304.054|O657.37|O433.59|O765
• 字数: 2108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.12.005

摘要

对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究.通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568 cm1-),计算得出GaN材料的应力从1.09 GPa减小到0.42 GPa.同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证.结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张森		15	142	8.0	11.0
3	蔡树军		18	62	4.0	7.0
4	刘波		11	33	4.0	5.0
5	尹甲运		13	32	4.0	5.0
6	冯震		4	18	2.0	4.0
7	冯志宏		4	21	3.0	4.0