基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
器件尺寸
辐照效应
NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电
NMOS晶体管
电离辐射效应
寄生漏电
辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究
辐照偏置
总剂量效应
MOS器件
解析模型
器件仿真
不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应
MOS晶体管
宽长比
辐射效应
总剂量
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 MOS器件沟道边缘辐照寄主漏电
来源期刊 科技通讯(乌鲁木齐) 学科 工学
关键词 寄生漏电 辐照界面电荷 电离辐照 MOS器件
年,卷(期) 1990,(28) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 27-35
页数 9页 分类号 TN386.1
字数 语种
DOI
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1990(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
寄生漏电
辐照界面电荷
电离辐照
MOS器件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技通讯(乌鲁木齐)
年刊
乌鲁木齐市北东南路40号
出版文献量(篇)
42
总下载数(次)
0
总被引数(次)
0
论文1v1指导