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MOS器件沟道边缘辐照寄主漏电
MOS器件沟道边缘辐照寄主漏电
作者:
刘昶时
吾勤之
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寄生漏电
辐照界面电荷
电离辐照
MOS器件
摘要:
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器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
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电离辐射效应
寄生漏电
辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究
辐照偏置
总剂量效应
MOS器件
解析模型
器件仿真
不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应
MOS晶体管
宽长比
辐射效应
总剂量
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
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文献信息
篇名
MOS器件沟道边缘辐照寄主漏电
来源期刊
科技通讯(乌鲁木齐)
学科
工学
关键词
寄生漏电
辐照界面电荷
电离辐照
MOS器件
年,卷(期)
1990,(28)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
27-35
页数
9页
分类号
TN386.1
字数
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辐照界面电荷
电离辐照
MOS器件
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科技通讯(乌鲁木齐)
主办单位:
中科院新疆物理所图书情报研究宝
出版周期:
年刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
乌鲁木齐市北东南路40号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
42
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