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Si(111) 衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
碳化硅
异质外延生长
低压化学气相淀积
Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除
3C-SiC
碳化
异质外延
生长
Si衬底
衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响
碳化硅薄膜
硅衬底
固源分子束外延
衬底温度
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 在HMDS做母源的Si(111)上外延生长3C—SiC
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 外延生长 HMDS 3C-SIC 半导体材料
年,卷(期) 1996,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-5
页数 2页 分类号 TN304.2
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
外延生长
HMDS
3C-SIC
半导体材料
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期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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