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GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN
核探测器
金属有机化学气相淀积
氢化物气相外延
电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究
电感耦合等离子体刻蚀
GaN
刻蚀速率
选择比
直流偏压
新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析
电阻率
载流子浓度
霍尔效应
GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 GaN材料的现状
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 GAN 半导体材料 MOCVD MBE
年,卷(期) 1998,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-2
页数 2页 分类号 TN304.2
字数 语种
DOI
五维指标
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1998(0)
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研究主题发展历程
节点文献
GAN
半导体材料
MOCVD
MBE
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
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