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HBr反应离子刻蚀米硅深槽
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文献信息
| 篇名 | HBr反应离子刻蚀米硅深槽 | ||
| 来源期刊 | 西安电子科技大学学报 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 反应离子刻蚀 硅深槽 溴化氢 集成电路工艺 | ||
| 年，卷（期） | 1998,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 76-78 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN405.983 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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反应离子刻蚀
硅深槽
溴化氢
集成电路工艺
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期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
主办单位：
西安电子科技大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
1001-2400
CN：
61-1076/TN
开本：
出版地：
西安市太白南路2号349信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
chi
出版文献量（篇）
4652
总下载数（次）
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