AU-PT-NI/P-INP新的低欧姆接触电极

• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 快速热退火 比接触电阻 AES深度剖面分析
• 年，卷（期）: 1998,（20）
• 页码范围: 2167-2170
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

用磁控溅射法淀积的非合金膜系Au_Pt_Ni/ p_InP( 1~ 2* 1 0 18cm-3 ) ,在 40 0℃ 30s的退火条件下 ,实现了比接触电阻低达 3* 1 0 -6Ω?cm2 的欧姆接触 .对不同温度 ( 30 0~ 5 0 0℃ )退火的Au_Pt_Ni/ p_InP欧姆接触所做的AES深度剖面分析揭示了Pt膜层阻挡Au的内扩散和InP外扩散的作用 .