Si1-xGex/Si超高真空化学气相外延工艺的研究

• 作者: 刘荣华 张进书 林惠旺 贾宏勇 金晓军 钱伟 钱佩信 陈培毅 韩勇
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空(UHV) 化学气相沉积(CVD) 硅锗固熔体 硅锗器件
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 81-83
• 分类号: TN304.0
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.021

摘要

为了研制出高性能的Si1-xGex/Si异质结器件,生长出适合器件应用的应变Si1-xGex材料,利用自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)设备,研究了Si1-xGex生长速度以及组份随GeH4流量的变化规律.实验结果表明:Si1-xGex生长速度随GeH4流量明显增加,且外延层中Ge与Si组份的比值约是气相中的GeH4与SiH4分压比值的2.5倍.提出了一个简单的生长动力学模型,解释了组份与流量的关系.Raman谱分析结果表明外延层为完全应变的.利用该材料制作出了性能良好的二极管.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	林惠旺	清华大学微电子学研究所	18	150	8.0	11.0
3	金晓军	清华大学微电子学研究所	1	3	1.0	1.0
4	贾宏勇	清华大学微电子学研究所	10	86	5.0	9.0
5	张进书	清华大学微电子学研究所	3	28	2.0	3.0
6	钱伟	清华大学微电子学研究所	4	28	2.0	4.0
7	韩勇	清华大学微电子学研究所	2	9	2.0	2.0
8	刘荣华	清华大学微电子学研究所	6	37	3.0	6.0