亚0.1μm栅衬互连体硅MOSFET特性研究

• 作者: 刘卫东 刘理天 李志坚
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 亚100nm 栅衬互连 低电压CMOS 驱动电流 关态特性 表面势
• 年，卷（期）: 1999,（Z1）
• 所属期刊栏目: 微电子学
• 页码范围: 118-121
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.1999.Z1.031

摘要

为满足低电压CMOS晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求,提出0.5V栅衬互连GBC(gate-body connected)体硅MOSFET工作模式.利用二维器件模拟,对栅长直到70μm的器件结构设计、特性和器件物理研究.得到结果:0.5V GBC-MOSFET具有陡直的亚阈特性(10倍电流的S因子为～60mV),高的电流驱动能力和理想的逻辑摆幅,栅衬泄漏电流可以忽略;超浅源漏、非均匀纵横向掺杂的Expoc结构在GBC模式下栅长直到50nm时,仍有很好的Vth可控制性,这一结构的0.5V GBC-MOSFET与1V常规MOSFET在宽广的阈值电压设计空间中具有相似的速度品值;其理想栅氧厚度为3nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子研究所	230	1519	19.0	23.0
2	李志坚	清华大学微电子研究所	84	451	11.0	15.0
3	刘卫东	清华大学微电子研究所	119	3261	34.0	54.0