原文服务方: 原子能科学技术       
摘要:
给出了加固和非加固54HC04电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系.
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文献信息
篇名 星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词 辐射效应 阈值电压 总剂量 剂量率
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 334-338
页数 5页 分类号 TN386.1|O571.33
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何宝平 46 291 9.0 13.0
2 郭红霞 81 385 10.0 13.0
3 张正选 21 88 5.0 8.0
4 姜景和 18 78 6.0 7.0
传播情况
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
辐射效应
阈值电压
总剂量
剂量率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
总被引数(次)
27955
论文1v1指导