薄膜SOI LDMOS自加热效应的表征及相关因素探究

• 作者: 罗晋生 郑陶雷
• 来源期刊: 电子电力技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 场效应晶体管 薄膜 模拟/金属氧化物场效应晶体管 自加热 温度分布
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2000.02.020

摘要

通过具有埋氧化层热阻影响和无此影响的薄膜SOILDMOS的电热模拟对比,研究了二氧化硅低热导率对器件温度分布及I-V特性的作用.首次表征了仅由埋氧化层热阻所致的自加热效应.重点讨论了薄膜SOI高压MOSFET的自加热效应与器件结构和工艺参数的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑陶雷		2	6	2.0	2.0
2	罗晋生		28	194	7.0	13.0