硅基多孔β-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

• 作者: 吴晓华 廖良生 李宁生 郑祥钦 鲍希茂
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: SiC薄膜 电致发光 发光机理
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 127-131
• 页数: 5页
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.004

摘要

单晶硅中注入高剂量的C+离子，注入能量为50keV，经高温退火后形成β-SiC沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β-SiC，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于25V时，可以获得波长约为447nm的蓝光发射，而且该蓝光发射随着电压的升高而增强.文中还将多孔β-SiC薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较，并讨论了其发光机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍希茂	南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室	14	75	6.0	8.0
2	李宁生	南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室	7	25	2.0	5.0
3	吴晓华	南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室	1	18	1.0	1.0
4	廖良生	南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室	1	18	1.0	1.0
5	郑祥钦	南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室	1	18	1.0	1.0