退火工艺对BST薄膜电学性能的影响

• 作者: 章天金
• 来源期刊: 湖北大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: BST 退火 氧空位 漏电流
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 327-330
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2001.04.013

摘要

应用RF平面磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si(100)衬底上沉积BST薄膜,研究了退火气氛与退火工艺对BST薄膜电学性能的影响.实验发现,退火有利于提高薄膜的结晶度,且薄膜的折射率、介电常数和漏电流特性等性能与薄膜的退火工艺密切相关,和N2气氛中退火的BST薄膜相比,O2气氛退火的BST薄膜具有较大的介电常数和较小的漏电流,可满足DRAMs器件应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章天金	湖北大学物理学与电子技术学院	82	321	11.0	14.0