制作亚50 nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

• 作者: 葛劢冲
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 极紫外光刻技术 图形传输 干涉光刻 光抗蚀剂
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 专题译文
• 页码范围: 37-40,44
• 页数: 5页
• 分类号: TN
• 字数: 1928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2001.04.008

摘要

极紫外光刻技术(EUVL,λ=13.4 nm)是为小于70 nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术(NGL).在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生,为极紫外干涉光刻(EUV-IL)提供了瞬间空间相干光源.其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪.用EUV-IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究.验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作19 nm线/间(L/S)条纹图形,同时报告了采用EUV-IL技术开发亚50 nm密集线/间图形的进展,并开始向制作120 nm多晶硅栅图形过渡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛劢冲	麦迪逊威斯康星大学电子计算机工程系	1	5	1.0	1.0