溅射法制备Insb薄膜工艺探索--In与Sb的原子比问题

• 作者: 关艳霞 周立军 孙承松 温作晓 魏永广
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: 溅射InSb薄膜 原子比 工艺
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与设备
• 页码范围: 35-36
• 页数: 2页
• 分类号: TB302.4
• 字数: 1436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1841.2001.07.015

摘要

介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙承松	沈阳工业大学信息学院	17	134	6.0	11.0
2	魏永广	沈阳工业大学信息学院	7	49	5.0	7.0
3	关艳霞	沈阳工业大学信息学院	35	79	5.0	7.0
4	周立军	沈阳工业大学信息学院	2	7	1.0	2.0
5	温作晓	东南大学微电子中心	4	11	2.0	3.0