气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究

• 作者: 姚冬敏 彭学新 李述体 李鹏 江风益 熊传兵 王立 莫春兰 辛勇
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN∶Si 金属有机气相沉积技术 黄带
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 182-185
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2002.02.013

摘要

用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜.通过对样品的光电及结晶性能的分析,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响.结果表明:合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要.Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早,气流混合时间长,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大,X射线双晶衍射半高宽较宽;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚,尽管可减少预反应,但气流混合不均匀,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差.使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学材料科学研究所	24	177	7.0	12.0
2	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
3	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
4	辛勇	南昌大学材料科学研究所	186	1282	15.0	26.0
5	李鹏	南昌大学材料科学研究所	16	162	5.0	12.0
6	熊传兵	南昌大学材料科学研究所	23	157	7.0	11.0
7	彭学新	南昌大学材料科学研究所	16	117	7.0	10.0
8	姚冬敏	南昌大学材料科学研究所	9	86	5.0	9.0
9	李述体	南昌大学材料科学研究所	12	93	5.0	9.0