化学机械抛光(CMP)技术的发展、应用及存在问题

• 作者: 雒建斌 雷红 马俊杰
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: CMP 设备 研浆 平面化技术
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 技术讲座
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 4440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2002.04.028

摘要

在亚微米半导体制造中, 器件互连结构的平坦化正越来越广泛采用化学机械抛光(CMP)技术,这几乎是目前唯一的可以提供在整个硅圆晶片上全面平坦化的工艺技术.本文综述了化学机械抛光的基本工作原理、发展状况及存在问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0
2	马俊杰	清华大学摩擦学国家重点实验室	8	339	7.0	8.0
3	雷红	清华大学摩擦学国家重点实验室	6	193	5.0	6.0