SOI新结构——SOI研究的新方向

• 作者: 安正华 张苗 林成鲁 林青 谢欣云 门传玲
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: SOI新结构,SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 知识和进展
• 页码范围: 214-218
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.04.005

摘要

SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围.为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点.如SOIM,GPSOI,GeSiOI,Si on AlN, SiCOI, GeSiOI,SSOI等.文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁		44	595	15.0	23.0
2	门传玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	8	68	6.0	8.0
3	安正华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	6	28	4.0	5.0
4	谢欣云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	33	4.0	5.0
5	林青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	10	89	6.0	9.0
6	张苗	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	83	6.0	8.0