基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计

• 作者: 刘理天 周俊 姚朋军 王晓红 董良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 加速度传感器 多孔硅 微加工 牺牲层 微机电系统
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 687-692
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.003

摘要

分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺,并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料,这种工艺能精确地控制微结构的尺寸.利用多孔硅作牺牲层工艺,使用加入硅粉和(NH4)2S2O8的TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅,能很好地保护未被覆盖的铝线.该工艺和标准的CMOS工艺完全兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董良	清华大学微电子学研究所	21	87	5.0	8.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	王晓红	清华大学微电子学研究所	21	159	8.0	11.0
4	周俊	清华大学微电子学研究所	6	41	4.0	6.0
5	姚朋军	沈阳师范大学信息技术学院	5	34	4.0	5.0