采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN

• 作者: Nasser N.Morgan 叶志镇 赵炳辉 邵庆辉 顾星 黄靖云
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 多晶 石英衬底 镓层氮化技术
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 120-122
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.02.013

摘要

随着多晶GaN材料发光研究的不断深入,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域.石英玻璃以其自身特有的优势,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底.本文采用一种新的金属镓层氮化技术,使用无定形石英作衬底,在常压下制备出多晶GaN.经分析测试表明,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好,并观察到针状的表面结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	顾星	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	26	3.0	4.0
5	邵庆辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	27	3.0	5.0
6	Nasser N.Morgan	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0