InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

• 作者: 刘训春 钱永学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管 Gummel-Poon模型 AB类功率放大器
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 753-757
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.015

摘要

采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB,1dB压缩点输出功率为28dBm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、-30.5dBc,1dB压缩点处的各阶谐波功率均小于-40dBc.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
2	钱永学	中国科学院微电子中心	5	53	4.0	5.0