Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶

• 作者: 励旭东 李艳 王文静 许颖 赵玉文 顾亚华
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 薄膜 RTCVD ZMR 氧化铝
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源与环境材料国际研讨会专栏
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2003.z1.018

摘要

研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶.利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法,在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多晶硅薄膜,薄膜的晶粒尺寸在微米级.经区熔再结晶(ZMR)后,薄膜的晶粒尺寸有了较大的提高,而且迁移率较高,这样的薄膜可以用作晶体硅薄膜太阳电池的籽晶层.最大的晶粒达到毫米量级,空穴迁移率超过50 cm2·V-1·s-1.在籽晶层上外延的活性层形貌与此类似.这些结果显示这种薄膜在光伏应用方面有较大的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳	北京师范大学低能核物理研究所	47	236	9.0	14.0
2	许颖		39	349	12.0	17.0
3	王文静		35	350	10.0	18.0
4	励旭东	北京师范大学低能核物理研究所	7	28	3.0	5.0
5	赵玉文		13	262	5.0	13.0
6	顾亚华	北京师范大学低能核物理研究所	3	9	2.0	3.0