磁场直拉硅单晶生长

• 作者: 任丙彦 刘彩池 刘福贵 张维连 徐岳生 李养贤 杨庆新 王海云
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 学科: 工学
• 关键词: 等效微重力 扩散控制 Marangoni对流
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 481-492
• 页数: 12页
• 分类号: TN3
• 字数: 5239字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9275.2004.05.001

摘要

研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15 T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显的Marangoni对流;硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善;控制Marangoni对流,可灵活控制硅单晶中的氧浓度.把磁场拉晶同硅单晶的等效微重力生长联系起来,推导出了引入磁感应强度和对应等效微重力等级的关系式:g=v0/Veff·g0,并针对坩埚的两种特征尺寸,进行了直拉硅单晶等效微重力等级的计算.