a-SiOx∶C薄膜的结构与发光特性研究

• 作者: 吴雪梅 李群 诸葛兰剑 项苏留
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: α-SiOx∶C薄膜 光致发光 结构 双离子束共溅射
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.02.003

摘要

采用双离子束共溅射法制备了SiOx∶C薄膜.对样品的XRD和TEM测试结果表明薄膜为非晶结构;PL谱图显示有两个发光峰分别位于420 nm(紫光)、470 nm(蓝绿光)处;470 nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3Si-SiO3),是由与氧原子配位的二价硅的单态以及三态-单态之间的跃迁所致,而与掺碳无关.进一步的XPS测试分析表明,420 nm处的PL峰位可能来自于Si、C、O三者组成的复杂的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	项苏留	苏州大学分析测试中心	12	118	6.0	10.0
2	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
3	诸葛兰剑	苏州大学分析测试中心	59	199	8.0	11.0
4	李群	苏州大学物理系	13	16	2.0	3.0