深亚微米SOI MOSFET阈值电压特性研究

• 作者: 蒋超 邓艳 龚仁喜
• 来源期刊: 广西大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOSFET 阈值电压 模型
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 页码范围: 63-65,68
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7445.2004.z1.021

摘要

在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚仁喜	广西大学电气工程学院	89	835	17.0	25.0
2	蒋超	广西大学电气工程学院	27	118	6.0	10.0
3	邓艳	广西大学电气工程学院	3	10	1.0	3.0