真空退火对a-C:F:H薄膜的结构与光学带隙的影响

• 作者: 刘雄飞 简献忠 肖剑荣 高金定
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-C:F:H 薄膜 光学带隙 PECVD 真空退火
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 381-384
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.05.015

摘要

使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺氟非晶碳(a-C:F:H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化,发现退火后薄膜表面变得平坦,疏松.用紫外-可见光透射光谱(UV-VIS)并结合傅里叶变换红外光谱(FTIR)和喇曼(Raman)光谱对薄膜进行了分析,获得了薄膜化学键结构和光学带隙的变化情况;发现薄膜的化学键结构和光学带隙与真空退火密切相关,高温退火后薄膜化学键结构:CHx(x=1,2,3下同)、F-芳基、CF2和CF等基团的含量改变;薄膜的光学带隙决定于CHx、退火后CHx含量减少导致薄膜光学带隙的减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金定	中南大学物理科学与技术学院	15	96	5.0	9.0
2	刘雄飞	中南大学物理科学与技术学院	63	517	13.0	21.0
3	简献忠	上海理工大学电气工程学院	91	341	9.0	14.0
4	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	23	103	6.0	8.0